克服人性的极限！英特尔将首次发布3纳米工艺

击败人性的极限！
英特尔首次发布了3纳米工艺
2017-09-1916：09：44来源：科技快作者：Q编辑上一篇：Q评论文（0）
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近年来，英特尔新技术的步伐明显放缓。三星和台积电都很傲慢，不遵守海关。节点的名称相当随机。16nm的优化称为12nm，并且一次推高10/9/8/7/6/5nm。
这个版本的英特尔并不快，但听它真的很混乱。毕竟，她似乎并不是自发的。
在当今复杂的制造业的日子，英特尔比较与台积电和三星，它正试图证明它是一个真正的10纳米自身的10MHz的过程。
面对未来，英特尔已准备好许多优质卡，10纳米产品即将发布，7纳米基本准备好，5纳米，3纳米也计划。
从英特尔的路线图来看，5纳米和3纳米仍处于研究的最前沿，如何实现大规模生产仍然未知如何实现完成，但无论如何，这是对英特尔技术搜索的追求这意味着。硅半导体将是坚实的
为实现5纳米，3纳米，英特尔正在边境进行大量技术研究。
- 纳米线晶体管：它被认为是未来技术的一种选择，因为纳米线的结构提供了更好的信道质量，这进一步最小化了晶体管栅极的长度。
-III-V材料：虽然硅是MOSFET通道的常用材料，但砷化镓和磷化铟等III-V材料可提高载流子迁移率，从而获得更高或更低的性能你也一样。它以低电压和低有功功率运行。
- 3D堆叠：硅晶片的3D堆叠提供了集成系统并在小地方组合不同技术的机会。
- 高密度存储器：正在探索和开发各种不同的高密度存储器选项，包括易失性和非易失性存储技术。
- 高密度互连：在微调过程中，小型互连与小型晶体管一样重要。
正在探索新材料和设计技术以支持高密度互连。
- 使用极紫外光刻（EUV）：13。
波长为5纳米。
当今天的193nm波长工具到达微链路的边界时，正在开发实现进一步小型化的技术。
- 自旋电子学：超越CMOS的技术。如果CMOS不再能够小型化，则可以选择提供高密度的低功耗电路。
- 神经元计算：不同的处理器设计和架构，其执行多种计算功能，其能效比当前计算机高得多。
没有人知道摩尔定律的局限性。
有趣的是，台积电一年前宣布了5纳米和3纳米的计划，并称有300到400人在3纳米工作，但没有透露细节。
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